015/4/9 Vol.130 ━ ┃☆ OPTRONICSメールマガジン

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http://optronics-media.com/news/20150402/30933/

2015年04月02日
NICTら,世界最高出力90mW超の深紫外LEDを開発
情報通信研究機構NICT

殺菌効果が最も高い発光波長265nm,電極メサ面積0.1mm2,室温・連続動作において90mWを達成し,実用上要求される水準を十分にクリアーする,これまでにない小型,高出力な深紫外LEDを実現した。

「今回開発したAlGaN系深紫外LEDは,結晶欠陥の発生を低減できる窒化アルミニウム(AlN)基板上に作製しているが,AlN基板は一般的に用いられるサファイア(Al2O3)基板に比べ屈折率が高く,これまでは基板表面での全反射により,極めてわずかな光しか外部に取り出すことができなかった。

こ の問題を解決する新しい技術として,理論・実験両面の工夫により,従来にない光取出し構造を開発した。具窒化アルミニウム(AlN)基板体的には,発光波長オーダーの理論的に最適化され た周期凹凸構造(フォトニック結晶)に加えて,それより十分に小さなサブ波長構造をハイブリッドした,全く新たな光取出し構造をAlN基板表面(光取出し 面)に付加することで,エスケープコーンの拡張(全反射の抑制)とフレネル反射の低減に成功。光取出し効率の向上率は196%と大幅に向上した。

窒化アルミニウム(AlN)基板窒化アルミニウム(AlN)基板の構造は,光取出し効率の向上だけでなく,素子間の光出力均一性,作製コスト,歩留りの向上などにも配慮した高機能構造であり,難加工性AlN基板を用いた深紫外LEDに対する微細加工技術を確立することで,極めて高精度・高均一なナノ光構造加工に成功した。

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http://optronics-media.com/news/20150407/31106/
2015年04月07日
ソニー,積層型CMOSイメージセンサの生産能力を再増強
「本年2月に発表した設備投資や今回の追加設備投資などにより,同社のイメージセンサの総生産能力は,現在の約60,000枚/月から2016年9月末時点 で約87,000枚/月まで増強される。今回の設備投資の総額は約450億円を見込んでおり,その内訳は長崎テックに約240億円,山形テックに約210 億円となっている。」


http://www.sony.co.jp/SonyInfo/News/Press/201504/15-031/


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ローム,小型低背のチップLEDのカラーを拡充
http://optronics-media.com/news/20150407/31023/